霍尔传感器原理霍尔传感器原理介绍

来源：懂视网责编：小OO 时间：2022-04-03 16:06:29

霍尔传感器原理霍尔传感器原理介绍

半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片。当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势eh，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。由实验可知，流入激励电流端的电流I越大、作用在薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。磁场方向相反，霍尔电势的方向也随之改变，因此霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场。

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导读半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片。当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势eh，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。由实验可知，流入激励电流端的电流I越大、作用在薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。磁场方向相反，霍尔电势的方向也随之改变，因此霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场。